各种品牌存储IC简单命名介绍
存储颗粒主要有这样的一些品牌：美国的Micron（美光）、德国的Infineon （英飞凌）；韩国的SAMSUNG（三星）、HY（现代）；日本的NEC（日本电气）、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝)；台湾的EilteMT、ESMT （晶豪）、EtronTech（钰创）、Winbond（华邦）、Mosel（茂矽）、Vanguard （世界先进）、Nanya（南亚）。
有的品牌现在已经没有被采用了，只有在SDRAM时代采用过，有的品牌在DDR 时代采用的也不多了。显存种类主要分SD和DDR两种，有时候，他们可以从编号上区分，DDR的可能会注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。另外主要从管角数量上来区分，以TSOP封装来说，SDRAM的管脚数量是27x2＝54，DDR 的管脚数量为33X2=66。
美光（Micron）
图1 美光芯片颗粒
美光是美国第一大、全球第二大内存芯片厂商，目前显卡厂商采用它显示芯片较少，它主要供应内存OEM商，下面用上图的实例对Micron（美光）颗粒编号的简单含义作介绍：
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
8M8——内存颗粒容量为8M。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
颗粒编号MT 48LC8M8A2 TG-75，从编号上的48很容易知道这是SDRAM颗粒，采用TSOP封装方式，速度为7.5ns，单颗粒为8M，位宽8bit。
亿恒（In fineon）
图2 Infineon（亿恒）颗粒
Infineon是德国西门子的一个分公司，它主要生产内存颗粒。目前，Infineon在全球排名已经跃居为第四位，超过了韩国的Hynix。它的编号简单，编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。它的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
用实例如上图对它颗粒编号的简单介绍：
HYB－内存编号开头
25－25是时间（周）
D－D代表DDR颗粒，S代表SDR颗粒
128－128代表单颗容量为128/8=16M
32－32表示位宽32bit
3.3－3.3代表颗粒速度
这颗编号为HYB25D128323C-3.3，编号中正数第10、11位，也就是“32”代表了该颗粒的数据输出位宽。
32也就是单颗32位。顺便说一下，这是DDR SGRAM显存颗粒。
韩国三星（Samsung）
目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个15位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
下面简单对三星的颗粒编号作一个介绍：
编码规则：K 4 X X X X X X XX - X X X X
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、D代表DDR、G代
表SGRAM。
第4、5位——容量，容量相同的颗粒采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表8Mbit的容量；28、27、2A代表16Mbit的容量；56、55、57、5A代表32Mbit的容量；51代表64Mbit的容量。
第6、7位——表示颗粒位宽，16代表16位；32代表32位；64代表64位。
第11位－－空格，没有实际意义。
第12、13位――为速度标志。
第14、15位——芯片的速率数据。
图3 三星颗粒（左边为采用TSOP封装DDR颗粒，右边为采用TSOP封装的SD
颗粒）
图4 采用mBGA封装方式的DDR显存颗粒
韩国现代（Hynix）
图5 现代的颗粒（左图为DDR颗粒，右图为SD颗粒）
图6 采用mBGA封装方式的颗粒
韩国现代公司的显存，应该为大多数朋友熟悉了。目前全球排名第四位，它的产品线也是很丰富的，在内存中，现代HY是物美价廉的代表。第一个编号为HY5DV641622AT-36的颗粒，它是DDR显存颗粒，第4位的字母“D”即代表为DDR，单颗64/8＝8MB，速度为3.6ns；第二颗编号为HY57V641620HG T-6，它是SDR颗粒，它的第6、7两位标称了显存单颗粒为64/8＝8MB，8，9两位代表了显存位宽为16bit，T-6表示速度为6ns，一般以-2A的标识方式进行标注。
台湾晶豪电子
图7 EilteMT颗粒
台湾晶豪电子是台湾5大内存芯片厂商之一，它近年来发展迅速，主要中国大陆显卡商采用它的颗粒较多。这颗显存编号为-5.5Q，9948S M32L32321SB，-5.5Q代表显存的速度为5.5ns，对应的运行速度=1/5.5=183MHz；9948S表示封装日期为99年第48周；第二行中的3232表示容量为32/8=4MB，数据带宽为32bit。
图8 ESMT颗粒
这颗显存编号为M13L128168A-4T，5、6、7位的128表示单颗是128/8＝16MB，8、9位表示位宽16bit，最后的-4T表示速度为4ns。
台湾钰创科技
图9 钰创颗粒
台湾钰创科技为最近兴起的存储芯片领域里的一颗新星，它的内存颗粒被各大显卡产商大量采用，品质性能都非常不错。这颗显存编号为
EM658160TS-4.5，其中EM代表EtronTech(钰创)显存，65代表容量为64/8=8MB，16代表数据带宽为16bit。T代表工作电压为2.5V，S代表种类为DDR SDRAM。
4.5代表显存速度为4.5ns，额定工作频率为230MHz。
南亚科技（NANYA）
南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也
是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns。
台湾华邦（winbond）
图11 winbond颗粒
台湾华邦为台湾5大内存芯片厂商之一，近年来，大陆客户采用它的内存颗粒较多，因此为我们较熟悉的一种品牌。这颗粒编号为W946432AD-5H，第1位W为台湾华邦显存颗粒开头标志，编号中的4、5为64表示单颗显存为
64/8=8Mb，第6、7为32表示单颗粒位宽为32位，第9位D表示位DDR颗粒，后面的第11、12位表示颗粒速度位5ns。
台湾茂矽（MOSEL）
韩国现代图12 MOSEL显存颗粒
台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns。