磁阻效应
一  基础知识介绍
1857年，英国物理学家威廉•汤姆逊（William Thomson）发现了磁阻效应（Magnetoresistance effect）。磁阻效应是指半导体在外加磁场作用下电阻率增大的现象。当半导体受到与电流方向垂直的磁场作用时，由于半导体中载流子的速度有一定的分布，某些速度的载流子，霍尔电场的作用与洛伦兹力的作用刚好抵消，这些载流子的运动方向不偏转，而大于或小于此速度的载流子，运动方向发生偏转，导致沿电流方向的速度分量减小，电流变弱，从而电阻率增加。本实验研究锑化铟片的电阻与磁感应强度变化的关系。
二  实验仪器
锑化铟片、电磁铁（具体参数见仪器）、稳压电源（5 V）、恒流源、滑线式电桥、检流计、滑动变阻器、电阻箱（0～100000 Ω）、万用表、双刀开关、单刀开关以及导线若干。
锑化铟样品示意图：
（a） 锑化铟片， 为外加磁场的磁感应强度，IS为通过锑化铟片的工作电流
（b） 锑化铟片管脚图
三  实验内容：
1）利用给定的实验仪器进行设计和实验。
2）画出测量框图。
3）线圈的励磁电流在0 ~ 0.800 A之间，测量20组以上磁阻数据。
特斯拉实验4）在坐标纸上标出关系的实验数据点，根据实验数据点图，分析与 的关系。其中是不加磁场时的电阻， 是加磁场后的电阻与不加磁场时电阻的差值，B以特斯拉（T）为单位。
5）当工作电流方向为1，3方向时，测量2，4方向的电阻。线圈的励磁电流在0 ~ 0.800 A之间，在坐标纸上标出 关系图。
四．注意事项：
    锑化铟片的工作电流小于3.00 mA，
    线圈励磁电流小于1.000 A。