电动车专用MOSFET选择指南
电动车电动二轮车（小功率）电动三轮车（中功率）电动汽车（大功率）控制器6管/9管/12管12管/15管/18管12管/24管/36管
48V HM70N75/HM70N78/HM70N80A
HM70N88/HM71N90/HM75N80
HM71N90/HM3307 HM1607/HM3207/B
60V/64V HM85N80/HM85N90 HM3307 HM3808/HM2907
72V HM2807/HM4030 HM4030/HM4310 HM4310/HM4110
电动车专用MOSFET参数
48V控制器专用：
HM70N75 HM70N78 HM70N80A HM70N88HM71N90HM75N80 HM3307 HM3207B HM3207
VDS
70V 70V 70V 70V 71V 75V 80V 70V 75V Id
车辆违章查询怎么查75A 78A 80A 88A 90A 80A 110A
180A
210A Ron 6.9mR    5.8mR    5.5mR 4.8mR 5.9mR 6.5mR 7.0mR 2.7mR 2.9mR
60~64V控制器专用：
HM85N80 HM85N90 HM3307 HM3808HM2907
ec7VDS 85V 82V 80V 80V 80V
Id 80A 90A 110A 150A 180A
Ron    6.8mR 7.5mR 7.0mR    3.6mR    3.0mR
72V控制器专用：
HM2807 HM4030 HM4310 HM4110
飞腾报价VDS 100V 100V 100V 100V
Id 100A 118A 140A 170A
Ron 9.9mR    6.2mR    6.2mR    4.5mR
备注：标注的Id电流是MOS芯片的最大电流，实际使用时的最大电流还要受TO-220封装的最大电流限
制。客户设计产品时的最大使用电流设定要考虑TO-220封装的最大电流限制。建议客户设计产品时的最
大使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数。
T0-220 Package(HM85N80)
MOSFET温升对比实验（HM85N80）
注：该实验模拟电动车在持续爬坡过程中MOS管HM85N80的温升情况，温度取样点：MOS管散热片
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可靠性实验（HM85N80）
- HTRB可靠性试验：环境温度150C下，漏电电压80% Vds，继续通电1000小时，80颗全通过
- HTGB可靠性试验：环境温度150C下，栅极电压80% Vgs，继续通电1000小时，80颗全通过华星汽车
- 控制器高温试验：64V12管限流值28A电机500W，控制器所处环境温度80C下，正常加载持续老化48小时通过
- 控制器短路试验：A，B，C三相各短路30次全通过
-
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控制器堵转试验：100次通过
产品特征
- 低导通电阻，低栅极电荷
- 高散热能力；高结温下，大电流持续导通能力
- 高EAS能力（100% UIS测试）
- 电参数高度一致性和重复性。(芯片在国际一流8英寸芯片代工厂生产+成品在国内顶尖的封测厂封装) - 特殊制程，高防静电能力（ESD）
货源保证
- 稳定持续的大量供货能力