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《变频器世界》May,2021英飞凌与昭和电工达成合作
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5月12日消息，英飞凌今日宣布，为提高碳化硅（SiC）的供应安全，已和日本晶圆制造商昭和电工签订供应合约，供应包括磊晶在内的各种碳化硅材料，英飞凌因此可获得更多基材，以满足对SiC型产品日益渐增的需求。
英飞凌工业电源控制事业部总裁Peter Wawer表示，SiC半导体市场预计在未来五年内的年成长率可达30%-40%，与昭和电工合作扩大英飞凌的晶圆供应商基础，是在此一持续成长市场中多源策略重要的一步，将
稳固地支援达成中长期的目标。此
外，英飞凌也计划在策略开发材料方
面与昭和电工合作，以提升品质并降
低成本。
SiC可提供高效率与强固的功率
半导体，特别专注于光电、工业电
源供应器和电动车充电基础设备等领
域；英飞凌拥有业界最大用于工业应
用的SiC半导体产品组合，而英飞凌
与昭和电工之间签订两年期的合约,
汽车基础知识且可续约。
汽博会长春昭和电工资深执行董事Jir。
Ishikawa则表示，很高兴能够为英飞
凌提供同级最佳的SiC材料及最先进
的磊晶技术；未来目标是持续改进
SiC材料的品质并开发新一代技术。
（来源：芯智讯）
比亚迪半导体IGBT迈入6.0时代
铸剑需要千百次的锤打和冶炼,北京交管局
而一代代芯片的迭代诞生，便是经历
千锤百炼之后仍不终结磨练。
比亚迪半导体坚持技术创新，不
断进行技术更新迭代，继2018年在宁
波发布IGBT4.0芯片技术以来，历时
两年积累沉淀，打磨出一款更高性能
的IGBT6.0芯片，并计划于比亚迪半
导体西安研发中心全新发布。
汽车工业大变革，电动化是上半场，智能化是下半场，电动车产业正在加速进入以智能化、网联化为代表的中高级发展阶段，对IGBT功率半导体、MCU微处理器等车规级芯片的需求也越来越大。
自2002年进入半导体领域以来，比亚迪半导体在2009年便推出国内首
电动中国芯IGBT4.0技术解析会
取消二手车限迁政策款自主研发的IGBT芯片，2018年推
出IGBT4.0芯片并树立国内中高端车
用IGBT新标杆。截止2020年底，以
IGBT为主的车规级功率器件累计装
车超过100万辆，单车行驶里程超过
100万公里。
IGET4.0芯片通过精细化平面栅
设计，使得同等工况下，综合损耗较
市场主流产品降低了约20%，整车电
耗显著降低。此次比亚迪半导体即
将发布的IGBT6.0芯片，预计将在有
“西部硅谷”之称的西安市重磅发布。
IGBT6.0芯片采用新一代自主研
发的高密度沟槽栅技术，相较同类产
品在可靠性及产品性能上将实现重大
突破，达到国际领先行列。
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