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摘 要:傳统的三电平有源中点钳位(ANPC)逆变器,利用冗余的两种零电平电流路径,可实现开关损耗的均布。由于各开关管都存在高频动作,若系统朝着更高频化的方向发展,则所有开关管都需要选用开关速度快的管子,来降低开关损耗,但系统的成本也将提升。本文选取特定的零电平路径,可将高频动作集中到ANPC每相拓扑中的其中两个管子,其余开关管都为工频动作,如此,只需将高频动作的管子选取为开关速度更快的器件即可,有效降低了系统的成本。
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关键词:三电平 ANPC 电流路径
1 引言
小虎汽车 三电平逆变器的电压应力低,输出谐波少,适于中高压场合下应用。其中,三电平二极管中点钳位(NPC)逆变器结构简单,应用最为广泛[1],但NPC拓扑的零电平路径单一,内外管开关损耗分布不均[2],加剧了管子老化程度的差异。
新大洲本田金锋锐 三电平ANPC逆变器使用两个有源开关器件替换NPC拓扑中的钳位二极管,使得零电平路径可自由选择[3]。基于该思想,文献[4]提出一种控制策略,通过采集开关管温度作为反馈,并选择相应的零电平回路,降低温度高的开关管的损耗,间接实现损耗的均布。文献[5]采用类似单极倍频发波的方法,在一个载波周期内同时使用两种零电平路径,实现内外管的开关损耗自均布,实时性较好。不管采用何种分配损耗的策略,传统的ANPC发波方式,所有开关管都存在高频动作,而当系统朝着更高频化的方向发展时,开关器件IGBT难以适应[6],开关损耗会大大提高,因此,需考虑使用开关速度更快的MOSFET或SiC MOSFET,降低开关损耗,但系统成本也将相应提高。
本文在传统ANPC发波的基础上提出一种高频集中的发波方法,利用特定零电平路径将高频动作集中到ANPC每相拓扑中的其中两个管子,其余开关管都为工频动作,即仅在调制波正负换向的时候动作。在开关管选型时,只有参与高频动作的两个管子需要选用开关速度更快的MOSFET或SiC MOSFET,其余各管仍可采用成本较低的IGBT,这将有利于系统成本的降低。实验部分根据高频集中发波的特点,进行开关管的选取并设计了一台7.5KW三电平ANPC样机,验证了所提方法的有效性。
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