《驱动电机及控制系统检修》
02查阅资料
功率变换技术是新能源汽车的调速和转向等动力控制系统的关键技术，其基本作用就是通过合理、有效地控制电源系统电压、电流的输出和驱动电机电压、电流的输入，完成对驱动电机的转矩、转速和旋转方向的控制。此外，新能源汽车的充电及低压设备的供电也是通过相应的功率变换技术完成。
电力电子器件正向着大容量、高可靠性、装置体积小、节约电能和智能化方向发展。除了早期使用的功率二极管、晶闸管外，目前常用的器件主要有门极可关断晶闸管（GTO)、大功率晶体管(GTR ).功率场效应晶体管（MOSFET)、绝缘栅极晶体管(IGBT )、MOS控制晶闸管(MCT)等。从新能源汽车的应用上看，MOSFET、IGBT具有较好的应用前景。
一、功率二极管
1.功率二极管的主要类型:
功率二极管的类型主要有三种:
（1）普通二极管。普通二极管又称为整流二极管，多用于开关频率不高(1kHZ以下）的整流电路中。其友向恢复时间较长，—般在5us以上，这在开关频率不高时并不重要。
（2）快速恢复二极管。快速恢复二极管可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。其中前者反向恢复时间为数百纳秒或更长;后者则在100ns以下，甚至达到如20~30ns。
（3）肖特基二极管。以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势至二极管(SBD)，简称为肖特基二极管。肖特基二极管的优点是:反向恢复时间很短(10~40ns ) ，正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲;在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小(通常在0.5V左右），明显低于快速恢复二极管（通常在1V左右或更大），其开关损耗和正向导
通损耗都比快速恢复二极管要小。肖特基二极管的弱点是，当反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求，因此多用于200V以下的低压场合。同时，由于反向漏电流较大且对温度敏感，反向稳态损耗不可忽略，而且必须严格限制其工作温度。
2.PN结型功率二极管基本结构、工作原理和基本特性:
（1）PN结型功率二极管
PN结型功率二极管的基本结构是半导体PN结，具有单向导电性，正向偏置时表现为低限态,形成正向电流称为正向导通;而反向偏置时表现为高阻态，几乎没有电流流过,称为反向截止。根据容量和型号，功率二极管有各种不同的封装。功率二极管有两个电极，分别是分别是阳极A和阴极K。
伏安特性与关断过程
（2）肖特基势垒二极管
肖特基势垒二极管，简称肖特基二极管（SehottkyBarrier Diode , SBD ),是利用金属与N型半导体表面接触形成势垒的非线性特性制成的二极管。由于N型半导体中存在着大量的电子，而金属中仅有极少量的自由电子，当金属与N型半导体接触后，电子便从浓度高的N型半导体中向浓度低的金属中扩散，随着电子不断从半导体扩散到金属，平导体表面电子浓度逐渐降低，表面电中件被破环手是就形成势至,真电场方问为半导体→釜属。在该电场作用之下，金属中的电子也会产生从金属→半导体的漂移运动，从而削弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立记—定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引
起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
尽管肖特基二极管具有和结型二极管相仿的单向导电性，但其内部物理过程却大不相同。由于金属中无空穴，因此不存在从金属流向半导体材料的空穴流，即SBD的正向电流仅由多子形成，从而没有结型二极管的少子存储现象，反向恢复时没有抽取反向恢复电荷的过程，因此反向恢复时间很短,仅为10~40ns。
肖特基二极管导通压降比普通二极管和快恢复二极管低，这有助于降低二极管的导通损耗，提高电路的效率。但其反向耐压在200V以下，因此适用于低电压输出的场合。
3.功率二极管的主要参数
（1）额定电压URR
反向不重复峰值电压URSM是指即将出现反向击穿的临界电压，反向不重复峰值电压URSM的80%称为反向重复峰值电压URSM 。 URSM无锡拥堵情况也被定义为二极管的额定电压URR
（2）额定电流IFR
功率二极管的额定电流IFR被定义为在环境温度+40℃和规定的散热条件下，其管芯PN结的温升不超过允许值时，所充许流过的正弦半波电流平均值。
（3）正向压降
正向压降是指在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时所对应的正向压降。
（4）最高工作结温TJM
结温是指管芯PN结的平均温度，最高工作结温是指在PN结不损坏的前提下所能承受的最高平均温度，通常在125℃~175℃之间。
（5）浪涌电流ISFM
浪涌电流是指功率二极管所能承受的最大的连续的一个或几个周期的过电流。
二、功率场效应晶体管（MOSFET）
1.功率场效应晶体管结构与工作原理
MOSFET种类和结构繁多，按导电沟道可分为P沟道和N沟道。当栅极电压为零时漏源极间存在导电沟道的称为耗尽型;对于N(P)沟道器件，栅极电压天于（小于)零时才存在导电沟道的称为增强型。在功率MOSFET中，应用较多的是N沟道增强型。功率MOSFET导电机理与小功率MOS管相同，但在结构上有较多区别。小功率MOS管是一次扩散形成的器件，其导电沟道平行于芯片表面，是横问导电器件。而功率MOSFET大都采用垂直导电结构，这种结构能大大提高器件的耐压和通流能力。
2.功率MOSFET导电机理
（a）UGS=0 （b）0< UGS <UT （c） UGS >UT
3.功率MOSFET的转移特性及输出特性gto汽车
vv酷（1）截止区， UGS <UT，ID = 0。
广本报价（2）饱和区，或称为有源区， UGS ＞UT， ID几乎不随Usuv翼虎DS的增大而增大，近似于一个常数，故称为饱和区。当用于开关工作时，MOSFET在此区内运行。
（3）非饱和区，或称为可调电阻区，这时漏源电压UDS上海牌照代拍与漏极电流ID之比近似为常数，而几乎与UGS无关，当MOSFET作为线性放大时，应工作在此区。
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